MOS管是场效应管。以下是对MOS管和场效应管的审视讲解：

一、MOS管

全称：MOS管，全称为Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管(FET)中的绝缘栅型。

结构：MOS管的主要结构包括金属栅极、氧化物绝缘层(继续是二氧化硅SiO₂)和半导体层(继续是硅Si)。

责任旨趣：MOS管是一种通过更变栅极电压来箝制漏极和源极之间导电沟谈的半导体器件。其栅极与源极、漏极之间通过一层绝缘层滋扰，因此也被称为绝缘栅场效应管。当栅极电压(VGS)大于阈值电压(VGS(TH))时，MOS管导通，允许电流从源极流向漏极。

分类：阐明导电沟谈的不同，MOS管可分为N沟谈MOS管和P沟谈MOS管;阐明栅极电压对导电沟谈的影响，又可分为增强型MOS管和蹧跶型MOS管。

二、场效应管

界说：场效应晶体管(Field Effect Transistor，简称FET)是运用箝制输入回路的电场效应来箝制输出回路电流的一种半导体器件。

类型：场效应管主要有两种类型，即结型场效应管(junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。MOS管是金属-氧化物半导体场效应管的一种。

特质：场效应管具有输入电阻高(1015Ω)、噪声小、功耗低、动态鸿沟大、易于集成、莫得二次击穿情状、安全责任区域宽等优点。

要而论之，MOS管是场效应晶体管的一种，具有私有的结构和优良的性能特质，在电子电路鸿沟推崇着遑急作用。