（原标题：OPPO Find X8发布,英诺赛科为其注入AllGaN黑科技）

10月24日,众人杰出的智能末端制造商OPPO发布了最新的旗舰手机 Find X8/X8 pro,主打浮薄直屏和影像旗舰,天玑9400处理器与潮汐引擎的超强建树,配合冰川电板与极速充电本事,大约为用户带来浮现的操作体验和握久的续航推崇。

据了解,OPPO 这次发布的Find X8/X8 pro系列手机遴选了英诺赛科全链路氮化镓(AllGaN)本事,从电源侧的快速充电(80W超等闪充和50W无线充)平直机里面主板的充电过压保护(OVP),均遴选了英诺赛科氮化镓。

据悉,英诺赛科是众人功率半导体翻新的引导者,亦然众人最大的氮化镓芯片制造企业。公司遴选IDM全产业链买卖方法,并在众人范围内初次达成了先进的8英寸氮化镓量产工艺,是众人氮化镓行业的龙头企业,于2023-2024年,邻接2年入选“胡润众人独角兽榜”。

英诺赛科的氮化镓居品用于多样低中高压欺诈场景,居品研发范围掩饰15V至1200V,涵盖晶圆、分立器件、IC、模组,并为客户提供全氮化镓惩办决议。诞生于今,英诺赛科领有近700项专利及专利肯求,居品可广泛欺诈于铺张电子、可再活泼力及工业欺诈、汽车电子及数据中心等前沿范围。

全链路氮化镓(AllGaN)本事

第三代半导体氮化镓材料具备高能效、高频率的特质,大约打造体积更小、充电更快且安全性更高的居品。

OPPO 在Find X8/X8 pro系列手机主板充电过压保护和50W无线充居品中,遴选了英诺赛科40V双向导通芯片VGaN,一颗替代两颗背靠背的 Si MOS,大大简化了里面空间,使居品策画愈加浮薄。同期,VGaN 具备双向导通或关断的特质,能在手机充电进程中对电板进行主动保护,增强了安全性和使用寿命。50W无线充更是称心了用户遍地随时快速充电的需求。

充电侧的超等闪充则遴选了英诺赛科高压GaN,该芯片遴选TO-252 封装,阻抗更低,散热更强,划定更高。字据 OPPO 官方数据对比,遴选英诺赛科高压 GaN 的80W 超等闪充与此前标配的80W适配器相比,体积减小约18%,随身佩戴更便捷。

众人杰出的智能末端制造商取舍与英诺赛科弥远深度配合,体现了其对创新本事和居品质能的信心和决心。据了解,该厂商已有多个系列居品(包括 Find X7/X8/Ultra,Realme GT 系列,一加 Ace 系列,以及 50W~150W 快充)的主板和充电器均遴选了英诺赛科 AllGaN 本事,达成了居品质能与竞争力的杰出。

氮化镓赋能异日,共促行业创新

氮化镓材料以其高频、高电子迁徙率、强抗辐照才能及低导通电阻等超卓特质,正冉冉改造功率半导体行业容貌。巨擘机构预测,2023年至2028年间,众人氮化镓功率半导体市集范围将达成指数级增长,复合年增长率高达98.5%,市集后劲浩繁。

行动众人功率半导体翻新的前驱,英诺赛科握续引颈氮化镓功率半导体行业进入加快发展阶段,弗若斯特沙利文瞻望至2028年,众人市集范围将达到501.4亿元东谈主民币。

占据上风赛谈,据悉,英诺赛科最近三年业务高速增长,收入由2021年的6821.5万元(东谈主民币,下同)增多至2023年的5.9亿元,2021年-2023年,收入复合年增长率高达194.8%。

一方面众人氮化镓卑鄙欺诈进入爆发期,需求端强力拉动,另一方面收货于公司弥远敷裕远见的政策布局,英诺赛科遴选IDM方法,在居品策画、工艺制造、测试及卑鄙欺诈等方面握续无数参加,修复了特有且无可比较的本事杰出地位及概括运营上风,大约灵验称心市集苍劲需求。

行动第三代半导体氮化镓翻新的引导者,异日,英诺赛科将握续深耕,期待以愈加超卓的本事,助力更多行业厂商,打造更极致更优质的居品,共同鼓动行业创新及欺诈。

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